12 января 2019 в 15:04
Как сообщает источник, компания Samsung рассказала о планах на развитие своих полупроводниковых технологий.
Уже в 2021 году компания намерена начать производство продукции с использованием трёхнанометрового техпроцесса с технологией GAAFET (Gate All Around FET). Технология GAA находится в разработке ещё с 2000 года. Транзисторы GAA имеют четыре затвора, что позволяет преодолеть физические ограничения по масштабированию.
О планах по внедрению GAAFET корейский гигант говорил ещё в мае 2017 года, но тогда говорилось о техпроцессе 4 нм и 2020 году. Источник отмечает, что тогда специалисты выразили сомнения, что Samsung сможет начать производство по новой технологии ранее 2022 года, но, если ориентироваться на данные источника, это всё-таки произойдёт в 2021 году.
Подробностей о том, какая именно продукция первой перейдёт на новый техпроцесс, нет.
Автор: MPAK
| Теги: Samsung
| Источник: THG
https://www.ixbt.com/news/2019/01/12/uzhe-cherez-dva-goda-samsung-nachnjot-proizvodstvo-poluprovodnikovoj-produkcii-po-tehprocessu-3-nm.html http://creativecommons.org/licenses/by/3.0/legalcode
