Samsung Electronics запускает массовое производство памяти DRAM плотностью 12 гигабайт

2019-07-19 14:54:29




Photo : YONHAP News

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового выпуска первых в отрасли микросхем памяти LPDDR5 DRAM плотностью 12 Гбит. Новинка производится по технологии 10-нанометрового класса второго поколения (1y нм). 

Речь идёт о модулях объёмом 12 ГБ - по 8 микросхем в один корпус. 

Они предназначены для флагманских смартфонов нового поколения и оптимизированы для работы технологий связи 5G и искусственного интеллекта. Новая память обходит по производительности предыдущее поколение в 1,3 раза. 

Пропускная способность новой памяти составляет 5.500 Мбит/с по одной линии. Память позволит передавать, к примеру, фильм объёмом 3,7 ГБ в высоком разрешении Full HD за одну секунду. Кроме того, энергопотребление удалось сохранить на 30%. 

Планируется уже в следующем году разработать кристаллы LPDDR5 DRAM плотностью 16 Гбит.



http://world.kbs.co.kr/service/news_view.htm?lang=r&Seq_Code=58319 http://creativecommons.org/licenses/by/3.0/legalcode